BSM75GAL120DN2 英飞凌IGBT模块晶体管

型号/规格：
BSM75GAL120DN2
品牌/商标：
INFINEON（英飞凌）
配置：
单开关
电压 - 集射极击穿：
1200V
电流 - 集电极：
105A
功率 - 最大值：
625W
电流 - 集电极截止：
1.4mA
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
150°C
安装类型：
底座安装
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商品信息 更新时间：2021-01-07

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。