SKM800GA126D 西门康全新进口 IGBT模块

型号/规格：
SKM800GA126D
品牌/商标：
SEMIKRON（西门康）
封装：
CASE D 59
引脚数：
5
输入电容：
42.0 nF
热阻：
42.0 mK/W
极性：
N-Channel
工作温度(Max)：
150 ℃
工作温度(Min)：
-40 ℃
长：
106.4mm
宽：
61.4mm
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企业名：苏州新杰邦电子技术有限公司

类型：贸易/代理/分销

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产品分类

二极管(565)
∟ 整流二极管(153)∟ 整流二极管模块(115)∟ 稳压二极管(68)∟ 开关二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(82)∟ 功率二极管(91)∟ 江崎二极管(1)∟ 旋转二极管(53)∟ 其他二极管(1)
场效应管MOSFET(208)
∟ MOSFET(207)∟ IGBT模块(1)
可控硅IGBT(1712)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(9)∟ 双向可控硅(晶闸管)(411)∟ 可控硅(晶闸管)模块(1292)
保险丝(702)
∟ 汽车/插片保险丝(1)∟ 熔断保险丝(701)

新品上架

商品信息 更新时间：2021-03-01

苏州新杰邦电子主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron，IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、POWERSEM、Vishay、美国IR、NELL尼尔；英国西玛，西班牙CATELEC，ABB等公司生产的igbt模块、可控硅、整流桥、二极管、；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；

IGBT是能源变换与传输器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广

SKM800GA126D SKM800GA126D SKM800GA126D SKM800GA126D

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