MOC3021描述
输入和输出之间的隔离电压 Viso : 5,000Vrms
6pin DIP光耦，可控硅驱动输出
高重复峰值断态电压 VDRM : Min. 400V
高临界断态电压上升率 (dV/dt : MIN. 100V / μs) 双列直插式封装：MOC3020、MOC3021、MOC3022、MOC3023 宽引脚间距封装：MOC3020M、MOC3021M、MOC30302M、MOC30302M
表面贴装封装：MOC3020S、MOC3021S、MOC3022S、MOC3023S
卷带包装：MOC3020S-TA1、MOC3021S-TA1、MOC3022S-TA1、MOC3023S-TA1


特征
电机控制
固态继电器
用于触发大功率晶闸管和双向可控硅

家用设备

尺寸图

参数

ABSOLUTE  MAXIMUM  RATING ( Ta = 25°C )

参数 符号 额定值 单位 

正向电流 IF 50 mA 

反向电压 VR 6 V 

输入功耗 PD 70 mW 

断态输出端电压 VDRM 400 V 

峰值重复浪涌电流 ( PW=1ms, 120pps ) VTSM 1 A
输出
集电极功耗 PC 300 mW
总功耗 Ptot 330 mW
*1 隔离电压 Viso 5,000 Vrms 

环境工作温度范围 TA-40 ~ +100 °C 

存储温度范围 Tstg-55 ~ +150 °C
*2 焊接温度 TL 260 °C
*1. AC 1 分钟，R.H. = 40 ~ 60% 隔离电压应使用以下方法测量。
(1) yi次侧的阳极和阴极之间以及二次侧的集电极和发射极之间短路。
 (2) 应使用带过零电路的隔离电压测试仪。 

(3) 施加电压的波形应为正弦波。
*2. 10 秒

电气 - 光学特性 (Ta = 25°C)
参数符号MIN.  典型值。MAX。单位  条件
正向电压 VF — 1.151.5V IF=20mA
输入反向电流 IR — — 10 μA VR=6V
*1 峰值阻塞电流，任一方向 IDRM— 10 100nA VDRM = 400V 峰值导通电压，

任一方向 VTM— 1.73 V ITM=100 mA PeakOUTPUT
 *2 断态电压上升临界率 dv/dt 100— — V/μs MOC3020— 15 30
MOC3021—8 15
MOC3022— — 10
*3 LED 触发电流，锁存输出所需的电流，任一方向 MOC3023 IFT— — 5 mA
主端电压 = 3V 保持电流，任一方向 IH100— — μA COUPLED
开启时间 ton — 8 20 μs VD=9V, IF=20mARL=100Ω
*1 必须在 dv/dt 额定值范围内施加测试电压。
*2 这是静态 dv/dt。换向 dv/dt 仅是负载驱动晶闸管的函数。
 *3 所有设备都保证在小于或等于zui大 IFT 的 IF 值下触发。

因此，推荐的工作 IF 介于zui大 IFT 30 mA 和absolute maximum IF (50mA) 之间

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