TC58BVG0S3HTAI0  NAND FLASH

FLASH - NAND（SLC） 存储器 IC 1Gb（128M x 8） 并联 25 ns 48-TSOP I

 TC58BVG0S3HTAI0  NAND FLASH 的技术参数：

容量(bit)	1G
Tech. node (nm)	24
Block size (bit)	(128K+4K)×8
存储器类型	非易失
存储器格式	闪存
接口	并联
访问时间	25ns
存储器容量	1Gb（128M x 8）
I/O (bit)	8
描述	1Gbit BENAND, 3.3V, x8, 24nm, BGA
温度规格 （度）	-40 to 85
工作电压（伏）	2.7 to 3.6
封装	TSOP-48
RoHS	是

 

 

TC58BVG0S3HTAI0  NAND FLASH 的描述：

C58BVG0S3HTAI0是一个单一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(2048 64)字节×64页×1024块。该装置具有2112字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元阵列之间以2112字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元(128KB+4KB：2112字节/64页)中实现。

TC58BVG0S3HTAI0是一种串行型存储设备，它使用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和编程操作,使得该设备更适合于诸如固态文件存储、语音记录、用于静态照相机的图像文件存储器其它需要高密度非易失性存储器数据存储的系统

TC58BVG0S3HTAI0芯片上有ECC逻辑，每个528字节的8位读取错误可以内部纠正。

 

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