TC58NVG2S0HTA00 原装 NAND FLASH

FLASH - NAND（SLC） 存储器 IC 4Gb（512M x 8） 并联 25 ns 48-TSOP I

 

TC58NVG2S0HTA00 原装 NAND FLASH 的技术参数:

制造商:	Kioxia
产品种类:	NAND闪存
RoHS:	是
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TSOP-48(12*20)
存储容量:	4 Gbit
接口类型:	Parallel
组织:	512 M x 8
数据总线宽度:	8 bit
电源电压:	2.7 V  TO  3.6 V
电源电流(MAX):	30 mA
工作温度:	0 C TO + 70 C
封装:	Tray
存储类型:	NAND
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	NAND Flash

 

TC58NVG2S0HTA00 原装 NAND FLASH 的特征：

SLC NAND 24nm

• 1Gb – 128Gb

• Extended temperature range

• TSOP and BGA package

• BENAND 24nm

èBuilt-in ECC SLC NAND

• 1Gb – 8Gb

• On-chip H/W ECC

• Same reliability and performance

as raw SLC

• Same hardware interface and

package as raw SLC

 

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TC58NVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58NVG0S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58NVG0S3ETAI0 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58BVG1S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

TC58BVG0S3HTA00 10000 BGA 22+ KOXIA/铠侠

NT5CC64M16GP-DII 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5CC128M16JR-EK 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5AD512M16C4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5AD512M16A4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

NT5AD256M16D4-HR 10000 BGA 22+ NANYA/南亚

KMGX6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

KMGP6001BA-B514 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A8G165WC-BCTD 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A8G165WC-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A8G165WB-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A4G165WF-BCTD 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

K4A4G165WE-BCRC 10000 BGA 22+ SAMSUNG/三星

H9HCNNNCPUMLHR-NME 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN8G6NCJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN4G6NBJR-VKC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H5AN4G6NBJR-UHC 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H26M41208HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

H26M41204HPR 10000 BGA 22+ SK HYNIX/海力士

MTFC8GAKAJCN-4MIT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

MTFC4GACAJCN-4MIT 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

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MT53E256M32D2DS-053WT:B 10000 TSOP 22+ MICRON/镁光

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