您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 半导体存储器 > Flash Memory(闪存/快闪存储器)
商铺首页 公司简介 IC产品 供应产品 诚信档案 客户留言

K9F1G08U0C 原装 NAND FLASH

供应K9F1G08U0C  原装 NAND FLASH
供应K9F1G08U0C  原装 NAND FLASH
金牌会员 第 4
  • 企业名:深圳市迅丰达电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 13824331138

    手机:13824331138

    联系人:陈小姐

    QQ: QQ:2885869107

    微信:

    邮箱:491961368@qq.com

    地址:广东深圳赛格广场3504A

商品信息 更新时间:2022-06-20

K9F1G08U0C  原装 NAND FLASH

K9F1G08U0C  原装 NAND FLASH 的技术参数:

容量

1G-bit

工作电压

3.3V

结构

(128M + 4M) x 8bit

 封装与引脚

TSOP48

 

K9F1G08U0C  原装 NAND FLASH 概述

The K9F1G08X0C is a 128Mx8bit (1G-bit) NAND Flash Memory with spare 32M-bit. Its NAND cell provides the most costeffective solution for the solid state application market.

 

K9F1G08U0C  原装 NAND FLASH 的特征:

Voltage Supply

3.3V Device(K9F1G08U0C) : 2.7V ~ 3.6V

Organization

Memory Cell Array : (128M + 4M) x 8bit

Data Register : (2K + 64) x 8bit

Automatic Program and Erase

Page Program : (2K + 64)Byte

Block Erase : (128K + 4K)Byte

Page Read Operation

Page Size : (2K + 64)Byte

Random Read : 25μs(Max.)

Serial Access : 25ns(Min.)

Fast Write Cycle Time

Page Program time : 200μs(Typ.)

- Block Erase Time : 1.5ms(Typ.)

Command/Address/Data Multiplexed I/O Port

Hardware Data Protection

Program/Erase Lockout During Power Transitions

Reliable CMOS Floating-Gate Technology

Endurance : TBD Program/Erase Cycles(with 1bit/512Byte ECC)

Data Retention : TBD

Command Driven Operation

Intelligent Copy-Back with internal 1bit/528Byte EDC

Unique ID for Copyright Protection

Package:

K9F1G08U0C-PCB0/PIB0 : Pb-FREE PACKAGE 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch)

 


联系方式

企业名:深圳市迅丰达电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 13824331138

手机:13824331138

联系人:陈小姐

QQ: QQ:2885869107

微信:

邮箱:491961368@qq.com

地址:广东深圳赛格广场3504A

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9