制造商

Infineon

产品种类

门驱动器

产品

IGBT, MOSFET Gate Drivers

类型

High Side

安装风格

SMD/SMT

封装/箱体

DSO-18

激励器数量

2 Driver

输出端数量

2 Output

输出电流

0.041666667

电源电压

14 V  to 18 V

配置

Inverting, Non-Inverting

上升时间

20 ns

下降时间

20 ns

工作温度

- 40 C to + 150 C

系列

2ED-FI Enhanced

输出电压

1.7 V

技术

Si

逻辑类型

CMOS, TTL

传播延迟（max）

130 ns

关闭

Yes

湿度敏感性

Yes

工作电源电流

3.9 mA

工作电源电压

14 V to 18 V

Pd-功率耗散

1.4 W

MT29F64G08CBABBWPR:B

MICRON/美光

KLMBG2JETD-B041

SAMSUNG/三星

KLMAG1JETD-B041

SAMSUNG/三星

KLM8G1GETF-B041

SAMSUNG/三星

KLM4G1FETE-B041

SAMSUNG/三星

K4E8E324EB-EGCF

SAMSUNG/三星

K4E6E304EB-EGCF

SAMSUNG/三星

K4E6E304EC-EGCG

SAMSUNG/三星

K4B4G1646E-BCNB

SAMSUNG/三星

K4A8G165WB-BCRC

SAMSUNG/三星

K4U6E3S4AA-MGCR

SAMSUNG/三星

K4UBE3D4AA-MGCL

SAMSUNG/三星

K4UBE3D4AB-MGCL

SAMSUNG/三星