THGBMBG9D8KBAIG 原装 NAND FLASH

MLC NAND Flash Serial e-MMC 64G-bit 8-bit 25ns 153-Pin FBGA

 

东芝eMMC V5.0嵌入式存储模块符合JEDEC发布的JEDEC eMMC 5.0版标准。采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片，11.5 x 13mm的小型FBGA封装，容量从4GB-128GB容量。主要应用于智能手机、平板电脑和数字摄像机等广泛的数字消费品，批量生产从11月底开始。

能够支持高分辨率视频和提供更大存储空间的高密度NAND闪存芯片的需求不断增长。

This is particularly true in the area of embedded memory that includes controller capabilities, which can minimize development requirements and facilitate integration into system design.

东芝正通过增强其高密度存储器产品系列来满足这一需求。

 

该公司的新型32 GB嵌入式设备在11.5 x 13 x 1.0mm的小封装中整合了4个64Gbit（相当于8GB）NAND芯片（It is made using Toshiba's second generation cutting-edge technology）和一个专用控制器。它符合JEDEC于9月发布的JEDEC eMMC 5.0版标准，并且通过采用新的HS400高速接口标准实现了高读写性能。

东芝将在密度为4GB至128GB的单一封装嵌入式NAND闪存系列中使用这些NAND芯片。所有设备都将整合一个控制器来管理NAND应用的基本控制功能。

 

THGBMBG9D8KBAIG 原装 NAND FLASH 的技术参数：

制造商	Toshiba
产品种类	NAND闪存
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	FBGA-153
存储容量	64 Gbit
接口类型	Parallel
工作温度	- 25 C to + 85 C
商标	Toshiba
存储类型	NAND
产品	NAND Flash
产品类型	NAND Flash

 

THGBMBG9D8KBAIG 原装 NAND FLASH 的应用：

Industrial Applications

Consumer Electronics

Multimedia Applications

Smart Metering & Intelligent Lighting

 

MT29F64G08CBABAWP固带 10K 23+

KLM8G1GETF-B041 10K 23+

KLMBG2JETD-B041 10K 23+

KLMAG1JETD-B041 10K 23+

K4E6E304EC-EGCG 10K 23+

K4B4G1646E-BCNB 10K 23+

K4F6E3S4HM-MGCJ 10K 23+

K4AAG165WA-BCWE 10K 23+

K4B4G0846E-BCNB 10K 23+

H5TC4G83BFR-PBA 95 17+

H26M41204HPR 5 20+

SDTNRGAMA-008G 35 21+

K4UBE3D4AA-MGCL 10K 23+

K4UBE3D4AB-MGCL 10K 23+

K4U6E3S4AA-MGCR 10K 23+

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