MT28EW256ABA1HJS-0SIT存储器NOR闪存芯片

特点：MT28EW256ABA1HJS-0SIT存储器NOR闪存芯片

单级电池（ SLC ）工艺技术密度: 256 Mb电源电压– V复写的副本=2.7-3.6 V （ program , erase , read ）

– VCCQ=1.65- V复写的副本（ I / O 缓冲区）异步随机/页面读取-页面大小: 16 字或 32 字节-页面访问: 

20 ns-随机存取: 70 ns （ V复写的副本= VCCQ= 2.7-3.6V )-随机存取: 75 ns （ VCCQ= 1.65-V复写的副

本)缓冲程序（ 512 字程序缓冲）– 2.0MB/s（ TYP ）使用全缓冲程序时– 2.5MB/s（ TYP ）使用加速缓

冲器时程序（ VHH)Word / Byte 程序: 25 us per word （ TYP ）块擦除（ 128 KB ）:0.2 s （ TYP ）

记忆组织-统一块: 128 KB 或 64 KW 每个x8 / x16 数据总线编程/擦除挂起和恢复功能-在一个程序中从另

一个块读取挂起操作-读取或编程另一个块在一个擦除挂起操作解锁旁路、块擦除、芯片擦除和写入

缓冲能力，MT28EW256ABA1HJS-0SIT存储器NOR闪存芯片

*空白检查操作，以验证已擦除的块?循环冗余检查(CRC)操作到验证程序模式?V聚丙烯
/WP#保护-保护di一个或zui后一个块，而不管是哪个块保护设置?软件保护-挥发性保护-非挥发性保护
-密码保护?扩展内存块-128字(256字节)块，用于yong久的、安全的鉴定-程序设计或锁定在工厂或
客户JESD 47-符合-每块100,000(zui低)擦除周期-数据保留：20年(TYP)?一揽子-56针TSOP，14?20毫米(JS)
-64球LBGA，11?13毫米(PC)-56-球VFBGA，7?9毫米(PN)?符合RoHS要求的无卤素包装
?操作温度
-环境：-40?C至%2B85℃256 MB：X8/x16，3V，MT28EW嵌入式并行NOR特征PDF：09005aef85477990
Mt28e-W256-Abas-IT.pdf-F 11/16修订本yi次美光科技有限公司保留更改产品或规格的权利，恕不另行通知。
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FLASH-NOR-存储器-IC-256Mb-（32M-x-8-16M-x-16）-并联-75ns-56-TSOP

FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb（32M x 8，16M x 16） 并联 56-TSOP（14x20）

MT28EW256ABA1HJS-0SIT存储器NOR闪存芯片

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