型号：IPI041N12N3G

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公司始终坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则，将产品质量和客户利益放在位，腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100％原装，对货物所涉及的各个环节严格把关。保证货物质量是我们的首要任务，降低客户成本是我们的永远追求。

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型号：IPI041N12N3G

公司坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则，将产品质量和客户利益放在首位，腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装，对货物所涉及的各个环节严格把关。货物质量是我们的首要任务，降低客户成本是我们的追求。

型号：IPI041N12N3G

型号：IPI041N12N3G

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 211 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 21 ns
正向跨导 - 小值: 83 S
高度: 9.45 mm
长度: 10.2 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 52 ns
500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
宽度: 4.5 mm
零件号别名: IPI41N12N3GXK SP000652748 IPI041N12N3GAKSA1
单位重量: 2.387 g

型号：IPI041N12N3G

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