型号：BSM35GD120DN2

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公司始终坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则，将产品质量和客户利益放在位，腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100％原装，对货物所涉及的各个环节严格把关。保证货物质量是我们的首要任务，降低客户成本是我们的永远追求。

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型号：BSM35GD120DN2

公司坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则，将产品质量和客户利益放在首位，腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装，对货物所涉及的各个环节严格把关。货物质量是我们的首要任务，降低客户成本是我们的追求。

型号：BSM35GD120DN2

型号：BSM35GD120DN2

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
栅极—射极漏泄电流: 150 nA
Pd-功率耗散: 280 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
栅极/发射极大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
10
子类别: IGBTs
技术: Si
宽度: 45.5 mm
零件号别名: BSM35GD120DN2BOSA1 SP000100371

型号：BSM35GD120DN2

企业名：深圳市腾桩电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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