NTMFS6H852NLT1G   ON    晶体管  MOSFET 属性：

造商: onsemi  

产品种类: MOSFET  
RoHS:  详细信息  
技术: Si  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: SO-8FL-4  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 80 V  
Id-连续漏极电流: 42 A  
Rds On-漏源导通电阻: 13.1 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  
Qg-栅极电荷: 17 nC  
zui小工作温度: - 55 C  
zui大工作温度: %2B 175 C  
Pd-功率耗散: 54 W  
通道模式: Enhancement  
封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: onsemi  
配置: Single  
下降时间: 6 ns  
正向跨导 - zui小值: 55 S  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 53 ns  
工厂包装数量: 1500  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 N-Channel  
典型关闭延迟时间: 18 ns  
典型接通延迟时间: 29 ns  
单位重量: 175 mg 

NTMFS6H852NLT1G   ON    晶体管  MOSFET 现货库存展示

NTMFS6H852NLT1G   ON    晶体管  MOSFET 供应商介绍

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