CXT5551  晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：CXT5551   200mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@10mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) 120-180 1G6 NPN,Vceo=160V,Ic=0.6A,hfe=120~1  CXT5551

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主要封装：SOT-23 SOT-323 SOT-523 SOT-723 SOD-123 SOD-323 SOD-523 SOD-723 SOD-882 SOD-923 LL-34 SOT-23-6  SOT-89等系列 

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