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 DMN2014LHAB-7   DIODES/美台

属性：制造商 Diodes Incorporated  
系列 -  
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel 得捷定制卷带  
产品状态 在售  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
配置 2 N 沟道（双）共漏  
FET 功能 逻辑电平门  
漏源电压（Vdss） 20V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） 13 毫欧 @ 4A，4.5V  
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） 1.1V @ 250?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值） 16nC @ 4.5V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） 1550pF @ 10V  
功率 - zui大值 800mW  
工作温度 -55?C ~ 150?C（TJ）  
安装类型 表面贴装型  
封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘  
供应商器件封装 U-DFN2030-6（B 类）  
基本产品编号 DMN2014 
分立半导体产品晶体管 DMN2014LHAB-7   DIODES/美台

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