TPS54360BDDAR德州仪器DC-DC电源芯片

型号/规格：
TPS54360BDDAR
品牌/商标：
TI
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继电器(1)
∟ 功率继电器(1)
放大器(1)
∟ 放大器(1)

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商品信息 更新时间：2023-12-27

TPS54360B是一款具有集成型高侧MOSFET的60V、3.5A降压稳压器。它采用电流模式控制，可实现简单的外部补偿和灵活的组件选择。低纹波脉冲跳跃模式可将无负载电源电流减小至146μA。当启用引脚被拉至低电平时，关断电源电流被减少至2μA。
　　欠压闭锁在内部设定为4.3V，但可用使能引脚将之提高。该器件可在内部控制输出电压启动斜坡，从而控制启动过程并消除过冲。

　　宽开关频率范围可实现对效率或者外部组件尺寸的优化。频率折返和热关断功能在过载情况下保护内部和外部组件不受损坏。

　　参数：
　　型号：TPS54360BDDAR
　　分类：DC-DC电源芯片
　　品牌：TI(德州仪器)
　　封装：SO PowerPAD-8
　　包装：整包装
　　功能：降压
　　输出配置：正
　　拓扑：降压,分压轨
　　输出类型：可调式
　　输出数：1
　　电压-输入（zui小值）：4.5V
　　电压-输入（zui大值）：60V
　　电压-输出（zui小值/固定）：0.8V
　　电压-输出（zui大值）：58.8V
　　电流-输出：3.5A
　　频率-开关：100kHz~2.5MHz
　　同步整流器：无
　　工作温度：-40℃~150℃（TJ）
　　基本产品编号：TPS54360B
　　产品应用：汽车级
　　RoHS状态：符合ROHS3规范
　　REACH状态：非REACH产品
　　ECCN：EAR99
　　HTSUS：8542.39.0001

　　安装类型：表面贴装型

　　特性：
　　输入电压范围4.5V至60V（jue对zui大值65V）
　　3.5A持续电流、4.5A zui低峰值电感器电流限制
　　电流模式控制直流/直流转换器
　　92mΩ高侧金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
　　轻负载条件下使用脉冲跳跃实现的高效率Eco-mode
　　轻负载条件下使用集成型引导(BOOT)再充电场效应晶体管(FET)实现的低压降
　　146μA静态工作电流
　　2μA关断电流
　　100kHz至2.5MHz的固定开关频率
　　同步至外部时钟
　　可调欠压闭锁(UVLO)电压和滞后
　　内部软启动
　　jing确逐周期电流限制
　　过热、过压和频率折返保护

　　0.8V1%内部电压基准

　　引脚图：