供应英飞凌IGBT逆变器模块FZ1200R33KF2C  FZ1200R33KF2C  FZ1200R33KF2C 可控硅 IGBT逆变器模块 

技术参数：
额定功率350 W
针脚数：24
极性N-Channel
耗散功率：350 W
输入电容(Cies)5.3nF @25V
工作温度(Max)：125 ℃
工作温度(Min)：-40 ℃
耗散功率(Max)：355 W
封装参数：
安装方式：Solder

封装：AG-ECONO3-3
外形尺寸：
长度：122 mm
宽度：62 mm
高度：17 mm
封装：AG-ECONO3-3
物理参数：
工作温度-40℃ ~ 125℃

INFINEON FZ1200R33KF2C  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105A, 2.3V, 350W, 1.2kV, EconoPIM,  IGBT逆变器模块

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

 IGBT模块应用中应注意的事项有：
　　①各路控制电源要相互隔离，并能达到一定的绝缘等级要求。
　　②在大功率的逆变器中，下桥臂的开关管也要各自用一个隔离电源，以避免产生回路噪音，只是这几路电源的隔离电压不需太高。

上海寅涵智能科技发展有限属于电力半导体器件和电子元器件的代理及分销商，产品广泛供应世界各地，应用到民用，工业，通信等电子产品领域中专注为开关电源、逆变电源、电力电源、电刷及电刷架等，广泛应用于电力、通讯、电子、冶金、化工、交通等行业电路保护及设备维护用备件、不间断电源、通信电源等能量控制与变换产品提供的半导体功率器件我们拥有稳固的供货渠道,，公司本着“品质保证，客户至上”的企业经营理念，“诚信经营、信誉为本”的经营宗旨。坚信客户永远是公司发展的源泉，坚持以市场为导向，以完善的售后服务为承诺,公司在长期的发展过程中以过硬的产品质量的优势和国内许多大型的公司都建立了长期良好的合作伙伴关系，我们也热诚欢迎国内外客户来我察，参观及技术交流；广纳博交的企业精神，寅涵愿与社会各界朋友精诚合作，为广大客户提供优良的产品、满意的服务、共创美好家园！
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