MBRF10150CT TO-220F 是一款双共阴极高压沟槽 MOS 势垒肖特基整流器，专为中小功率高频高压应用设计，适用于对效率、可靠性和空间要求严格的电力电子电路。
MBRF10150CT 采用沟槽 MOS 肖特基技术，结合 TO-220F 全塑封装，在紧凑体积内实现高效整流与稳定散热。器件集成两个独立的肖特基二极管，共阴极配置，可承受 10A 的连续正向电流和 150V 的反向电压，适用于高压开关电源、工业逆变器、电机驱动等中小功率高频场景。其优化的结构设计可降低导通损耗，支持 500kHz 以上的高频操作，同时兼容标准 PCB 布局，简化系统设计。
高效能设计
- 低正向压降，显著降低导通损耗，提升系统效率。
- 快速开关特性，反向恢复时间极短，支持高频同步整流。
- 极低的反向漏电流，确保低功耗待机模式。
高可靠性
- 耐浪涌电流能力强，非重复正向浪涌电流可达 150A。
- 宽工作温度范围，适应严苛工业环境。
封装优势
- TO-220F 全塑封装，无需额外绝缘垫即可直接安装在散热器上，简化设计并降低成本。
- 引脚间距 2.54mm，通孔安装，兼容标准 PCB 布局。
- 引脚表面镀雾锡（Sn），耐 260?C 波峰焊。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 单位 | 测试条件 |
|---|
| 反向重复峰值电压 | 150 | V | - |
| 正向平均电流 | 10 | A | 每二极管 5A，Tj=100?C |
| 正向浪涌电流 | 150 | A | 8.3ms 单脉冲 |
| 正向压降 | 0.85（典型值）/0.92（zui大值） | V | IF=10A，Tj=25?C |
| 反向漏电流 | ≤200 | ?A | VR=150V，Tj=25?C |
| 工作结温范围 | -55 ~ %2B155 | ?C |
|
| 存储温度范围 | -55 ~ %2B175 | ?C | - |
- 高压开关电源（SMPS）：作为次级侧整流二极管，提升中小功率电源转换效率，适用于工业设备、通信基站等高压场景。
- 电机驱动与变频器：续流保护电路，防止反向电动势损坏器件，支持 150V 母线电压。
- 工业逆变器与储能系统：高频整流，满足太阳能逆变器、储能变流器等对电压耐受性的需求。
- 智能设备电源管理：如智能家居、医疗设备的电源模块，确保低功耗与长寿命。
- 封装类型：TO-220F 全塑封装，3 引脚单列直插，散热片与引脚电气隔离。
- 引脚定义：1、3 脚为阳极（A1、A2），2 脚为公共阴极（K）。
- 尺寸：本体长度约 15.87mm，引脚间距 2.54mm，兼容标准 TO-220 散热器
- 肖特基二极管无反向恢复时间，适用于高频开关场景，但需严格控制反向电压不超过 150V。
- 建议通过散热器或 PCB 布局优化散热，尤其在连续高负载下确保结温不超过 155?C。
