MBRF10200CT TO-220F 是一款双共阴极高压沟槽 MOS 势垒肖特基整流器,专为中小功率高频高压应用设计,适用于对电压耐受性、效率和空间要求严格的电力电子电路。
MBRF10200CT 采用沟槽 MOS 肖特基技术,结合 TO-220F 全塑封装,在紧凑体积内实现高效整流与稳定散热。器件集成两个独立的肖特基二极管,共阴极配置,可承受 10A 的连续正向电流和 200V 的反向电压,适用于高压开关电源、工业逆变器、汽车电子等中小功率高频场景。其优化的结构设计可降低导通损耗,支持 500kHz 以上的高频操作,同时兼容标准 PCB 布局,简化系统设计。
高效能设计
- 低正向压降,显著降低导通损耗,提升系统效率。
- 快速开关特性,反向恢复时间几乎为零(trr≈0ns),支持高频同步整流。
- 反向漏电流控制严格,确保低功耗待机模式。
高可靠性
- 耐浪涌电流能力强,非重复正向浪涌电流可达 150A。
- 宽工作温度范围,适应严苛工业与车载环境。
- 符合 UL 94 V-0 阻燃标准,确保安全运行。
封装优势
- TO-220F 全塑封装,无需额外绝缘垫即可直接安装在散热器上,简化设计并降低成本。
- 引脚间距 2.54mm,通孔安装,兼容标准 PCB 布局。
- 引脚表面镀雾锡(Sn),,耐 260?C 波峰焊。
- 封装尺寸紧凑(10.50 x 4.80mm),高度 19.50mm,适配高密度电路板。
参数 | 典型值 / 范围 | 单位 | 测试条件 |
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反向重复峰值电压 | 200 | V | - |
正向平均电流 | 10 | A | 每二极管 5A,Tj=100?C |
正向浪涌电流 | 150 | A | 8.3ms 单脉冲 |
正向压降 | 0.85(典型值)/0.92(zui大值) | V | IF=10A,Tj=25?C |
反向漏电流 | ≤200 | ?A | VR=200V,Tj=25?C |
工作结温范围 | -65 ~ %2B150 | ?C |
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存储温度范围 | -65 ~ %2B175 | ?C | - |
- 高压开关电源(SMPS):作为次级侧整流二极管,适用于工业设备、通信基站等 200V 高压场景,提升电源转换效率。
- 汽车电子:车载充电器、DC-DC 转换器的续流保护电路,支持宽电压输入(12V/24V 系统)。
- 工业逆变器与储能系统:高频整流模块,满足太阳能逆变器、储能变流器对高电压耐受性的需求。
- 电机驱动与变频器:防止反向电动势损坏器件,支持 150-200V 母线电压。
- 智能设备电源管理:如医疗设备、高端家电的电源模块,确保低功耗与长寿命。
- 封装类型:TO-220F 全塑封装,3 引脚单列直插,散热片与引脚电气隔离。
- 引脚定义:1、3 脚为阳极(A1、A2),2 脚为公共阴极(K)。
- 尺寸:本体长度 10.50mm,宽度 4.80mm,高度 19.50mm,兼容标准 TO-220 散热器。
- 肖特基二极管无反向恢复时间,适用于高频开关场景,但需严格控制反向电压不超过 200V,避免电压应力导致失效。
- 建议通过散热器或 PCB 布局优化散热,尤其在连续高负载下确保结温不超过 150?C。

