MBR20200CT TO-220 是一款专为中高压高频场景设计的双共阴肖特基势垒整流器，采用 TO-220AB 封装，集成两颗独立芯片，适用于对高效能、快速开关和高可靠性要求严格的工业与消费电子领域
MBR20200CT TO-220 基于硅基肖特基二极管技术，通过优化的芯片设计实现极低的正向压降和超快速开关响应。器件可承受20A 的平均正向电流（IF (AV)）和200V 的反向重复峰值电压（VRRM），适用于高压开关电源、储能逆变器、工业变频器等场景。
超低功耗与高效能
- 正向压降（VF）
- 反向恢复时间（Trr）：极短
- 高浪涌电流能力（IFSM）：适应瞬时过载场景
高可靠性与宽温性能
- 宽工作温度范围：-55?C 至 %2B 175?C，适应严苛工业环境与高温操作。
- 阻燃标准：符合 UL 94 V-0 阻燃标准，确保安全运行。
- 低反向漏电流（IR）：在 25?C 时，典型值≤10~1000?A；高温下可能增至 20mA，提升长期稳定性。
封装与散热优势
- TO-220AB 全塑封装：3 引脚单列直插，支持直接安装在散热器上，无需额外绝缘垫，降低设计复杂度与成本。引脚表面镀雾锡（Sn），符合 J-STD-002 可焊性标准，耐 260?C 波峰焊。
- 紧凑尺寸：本体长度 10.16mm，宽度 4.57mm，高度 15.10mm，适配高密度电路板，兼容标准 TO-220 散热器。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 单位 | 测试条件 |
|---|
| 反向重复峰值电压 | 200 | V | - |
| 平均正向电流 | 20 | A | Tj=100?C |
| 正向浪涌电流 | 150~200 | A | 8.3ms 单脉冲，Tj=25?C |
| 反向恢复时间 | <5~500 | ns | IF=1A，IR=0.25A |
| 正向压降 | 0.80~0.95 | V | IF=10A，Tj=25?C |
| 反向漏电流 | ≤10~1000 | ?A | VRRM=200V，Tj=25?C |
| 工作结温范围 | -55 ~ %2B175 | ?C | - |
| 存储温度范围 | -55 ~ %2B175 | ?C | - |
| 结电容 | 400~800 | pF | VR=0V，1MHz |
- 高压开关电源：AC/DC 转换器、服务器电源的同步整流与续流，支持宽输入电压（100V/150V/200V），尤其适用于对效率要求高的中小功率模块。
- 储能系统：电动车充电器、光伏逆变器的高效整流，减少充电损耗，提升电池寿命。
- 工业设备：变频器、电机驱动电路的快速开关与反向保护，降低启停时的电压尖峰，尤其适用于 200V 母线系统。
- 汽车电子：车载充电器、启动电路、照明电路的高效整流，适应 48V 系统，支持车载电源的高频切换。
- 消费电子：笔记本电脑适配器、LED 照明电源的高频整流，支持紧凑设计与低功耗需求。
