MURB2020 是一款专为中压高效开关电路设计的超快恢复二极管阵列,采用 TO-263封装,融合高可靠性与紧凑结构优势。
电气性能:
- 反向重复峰值电压(VRRM):200V,适用于中等电压整流场景。
- 平均正向电流(IF (AV)):20A(双二极管配置,每路 10A),支持大电流负载。
- 正向压降(VF):典型值 1.15V@16A,低至 850mV@8A,显著降低导通损耗。
- 反向恢复时间(TRR):35ns,快速开关特性减少高频能量损耗。
- 浪涌电流能力:100A,可承受短时大电流冲击。
封装与结构:
- 封装类型:TO-263AB,表面贴装设计,3 引脚配置(双阳极、共阴极),金属基板与大面积焊盘支持高效散热。
- 尺寸:引脚间距 2.6mm,紧凑设计便于 PCB 布局。
工作条件:
- 温度范围:结温 - 65?C 至 %2B 175?C,适应宽温环境。
- 湿度敏感性:符合 MSL 1 标准,无需特殊防潮处理。
- 工业电源:作为次级整流二极管,用于变频器、伺服驱动器等设备,利用快速恢复特性降低开关损耗。
- 不间断电源(UPS):处理中压大电流转换,提升系统效率与稳定性。
- 电机驱动与控制:作为续流二极管,保护电路免受感应电压冲击,支持低压逆变器和斩波电机驱动模块。
- 通信设备:如基站电源、数据中心电源,满足高效散热与高可靠性需求。
- 低反向漏电流:高温下保持 15μA@200V,确保长期稳定性。
- 高浪涌能力:100A 浪涌电流能力,增强电路可靠性。
- 封装优势:双二极管共阴极设计,减少 PCB 空间占用,简化电路布局。
- 高效性能:采用 Vishay FRED Pt? 技术,优化正向压降与恢复时间,降低开关损耗。
- 散热设计:需配合足够的散热片或 PCB 铜箔面积,避免长期工作时过热。
综上,MURB2020 TO-263 凭借其中压耐受性、超快恢复特性和紧凑封装,成为中压开关电路的理想选择,尤其适合对效率和空间要求严格的工业及通信设备应用场景。