DTB113E 是集成双电阻分压网络的 PNP 型晶体管，采用 SOT-23-3 封装，内置1kΩ 基极电阻（R1）和 1kΩ 发射极电阻（R2），无需外部偏置电路即可直接驱动逻辑信号。其集电极电流（Ic）可达500mA，集电极 - 发射极电压（VCEO）为50V，适用于中小功率开关、逻辑控制及信号调理等场景，广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。
对称分压网络与精准逻辑阈值
内置 1kΩ 基极电阻（R1）和 1kΩ 发射极电阻（R2），形成对称分压结构，可在 **-10V 至 %2B 5V 的输入电压范围 ** 下实现稳定偏置。逻辑阈值为：
- VIN(off)=-0.2V（VCC=-5V，Ic=-100μA 时）
- VIN(on)=-2.2V（VO=-0.3V，Ic=-10mA 时）
直流电流增益（hFE）zui小值为33，适用于对逻辑电平精度要求较高的信号放大或驱动场景。
宽工作范围与可靠性
- 集电极 - 发射极电压（VCEO）：50V
- 集电极电流（Ic）：500mA
- 工作温度范围：-55℃至 %2B 150℃，适应极端环境下的长期运行。
- 采用先进半导体工艺，集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）低至0.3V（@50mA 集电极电流），确保高效信号传输。
- 集电极截止电流（ICEO）仅500nA，有效降低漏电流干扰；发射极 - 基极截止电流（IEBO）为0.1mA，需在电路设计中关注漏电流控制。
- 过渡频率（Ft）达200MHz，支持高频信号处理。
低输入电压适配能力
基于分压网络特性，在负电源系统中输入电压范围为 - 10V 至 - 0.2V（典型 VBE=0.7V 时推导值，实际应用需结合具体电路调整），可直接匹配消费电子及工业设备中常见的低电平触发信号，如手机电源管理电路的逻辑控制。
环保与安全ren证
产品符合 RoHS 标准，确保生产和使用过程中不含有害物质（如铅、汞、镉等），满足欧盟及quan球环保法规要求。标准型 DTB113E 未通过 AEC-Q101 汽车级ren证，建议优先用于消费电子等非车载场景；如需车载应用，需选择通过车规ren证的替代型号
- 消费电子：手机、平板电脑的电源管理电路、背光控制及逻辑信号反转（PNP 特性），支持 3.3V/5V 混合信号系统。
- 工业控制：PLC 输入输出模块、电机驱动电路的低电平触发开关控制，尤其适用于需兼容负电源的工业设备（如机床控制单元）。
- 通信设备：基站射频模块、光纤通信接口的电平转换与信号调理，支持负电源系统的通信设备。
- 办公设备：打印机、扫描仪的驱动电路及逻辑控制单元，适配低输入电压场景。
- 汽车电子：非关键车载电路（如辅助照明控制），建议优先选择通过 AEC-Q101 ren证的替代型号用于引擎控制模块等关键场景。
- 封装形式：SOT-23-3（3 引脚）
- 引脚功能：
- 引脚 1（基极 B）：控制信号输入（内置 1kΩ 串联电阻至发射极）。
- 引脚 2（发射极 E）：低电平参考。
- 引脚 3（集电极 C）：输出信号或负载连接
