MMBD1201 he心参数与特性

• 结构设计：单硅二极管，阳极（引脚 1）与阴极（引脚 2）独立引出，引脚 3 为空脚（NC），适合需要独立信号控制或单路电压处理的电路。
• 电气性能：
  • 反向重复峰值电压（VRRM）：100V，可承受工业级高压瞬态冲击
  • 正向平均电流（IF (AV)）：200mA，支持中等功率信号传输。
  • 正向压降（VF）：1.0V@200mA（zui大值），低功耗特性适合电池供电设备。
  • 反向漏电流（IR）：50nA@50V（zui大值），确保静态损耗极低。
  • 反向恢复时间（trr）：4ns（典型值），比普通整流二极管快 250 倍，适合 100MHz 级超高速开关应用。
• 高频特性：结电容（CJ）<2pF（典型值 @0V/1MHz），支持射频信号处理。
• 环境适应性：
  • 工作温度范围：-55?C 至 %2B 150?C，满足工业级应用需求。
  • 符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺。

MMBD1201 封装与制造

• 尺寸参数：SOT-23-3 封装尺寸为 2.9mm?1.3mm?1.1mm，引脚间距 0.95mm，适合高密度 PCB 布局。引脚定义明确：引脚 1 为阳极，引脚 2 为阴极，引脚 3 为空脚（NC）。
• 生产工艺：采用平面钝化技术和 1R 工艺（高电导超快恢复设计），提升长期可靠性；卷带包装（3000pcs / 盘）支持自动化贴片生产。

典型应用

1. 高频开关电路：4ns 反向恢复时间使其适合高速数据通信和 PWM 控制电路。
2. 电源保护：用于工业电源输入的防反接保护，或与 TVS 二极管并联增强浪涌防护能力。
3. LED 驱动：单管结构简化单色 LED 调光电路设计，支持高频率 PWM 无频闪控制。
4. 射频信号处理：低结电容特性允许其用于基站模块的信号限幅或射频开关。
5. 消费电子：手机充电器、蓝牙耳机等设备的电源管理电路，提供高效整流与过压保护。

MMBD1201 可靠性数据

• 温度循环测试：-55?C 至 %2B 125?C，1000 次循环后参数漂移 < 5%
• 焊接热冲击：260?C/10 秒，5 次循环后引脚拉力 > 2N
• 长期存储：在 40?C/90% RH 环境下存放 1000 小时，反向漏电流增长 < 10%

设计建议

1. 散热管理：当 IF 接近 200mA 时，建议采用散热焊盘设计以降低结温。
2. 瞬态保护：在高压应用中，可并联 TVS 二极管（如 SMBJ100A）以增强浪涌防护能力。
3. 高频布线：阳极和阴极引脚需缩短布线长度，减少寄生电感对开关速度的影响。
4. 负载匹配：在开关电路中，需根据负载阻抗调整驱动电阻，确保 trr 性能不受影响。
5. 引脚配置：严格遵循引脚定义（引脚 1 阳极，引脚 2 阴极），避免因接反而损坏器件。
6. 
   

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