一、产品概述

LBSS84LT1G 是一款由乐山无线电（LRC）生产的高性能P沟道增强型小信号MOSFET，采用 SOT-23 小型表面贴装封装。该器件与N沟道的LBSS123LT1G形成互补，具备50V耐压和低导通电阻特性，适用于消费电子、便携式设备及电源管理等领域的高密度电路设计。

带"S-"前缀的型号通过AEC-Q101ren证，适用于qi车电子等高可靠性应用场景。

二、he心参数详解

晶体管类型：P沟道增强型MOSFET。采用电压控制方式，栅极（G）施加负向电压时导通，具备输入阻抗高、开关速度快的特点。

漏源电压（Vds）：-50V，可安全用于5V至24V各类低压系统。

连续漏极电流（Id）：-130mA，适用于小信号开关和负载切换场景。

导通电阻（RDS(on)）：zui大 10Ω（@-5V），部分来源标注5Ω（@-10V版本)。

耗散功率（Pd）：225mW，体现SOT-23封装良好的散热能力。

阈值电压（Vgs(th)）：-2V（典型值），可由3.3V/5V逻辑电平直接驱动。

输入电容（Ciss）：30pF，低电容有利于提高开关速度。

反向传输电容（Crss）：5pF，低密勒电容保障开关wen定性。

栅极电荷（Qg）：6nC，栅极驱动功耗低，适合便携式低功耗应用。

温度范围：工作结温 -55℃ ～ %2B150℃，覆盖消费级至工业级各类严苛环境。

三、功率与频率定位

功率定位：小功率（耗散功率225mW，连续漏极电流130mA），与SOT-23封装小信号器件保持一致，主要用于信号通路的开关和调理。

频率定位：中高频（输入电容30pF，反向传输电容5pF），低结电容特性使其适用于数十MHz级别的开关应用，适合DC-DC转换、电平转换电路等场景。

四、典型应用

LBSS84LT1G用于负载开关与电源管理：在便携式设备中用作高端负载开关，50V耐压特性使其可适应较宽的输入电压范围。

逻辑电平转换：在3.3V与5V混合电压系统中，利用MOSFET的开关特性实现双向电平转换。

LBSS84LT1G用于DC-DC转换器：在低压DC-DC转换器中作为功率开关管，适用于中等频率的转换应用。

便携式与电池供电产品：适用于计算机、打印机、移动电话等对体积和功耗敏感的场景。

五、总结

LBSS84LT1G 是一款兼具P沟道、50V耐压、低导通电阻（10Ω）、低输入电容（30pF）、逻辑电平兼容及小型化SOT-23贴片封装等优良特性的tong用小信号P沟道MOSFET。其小功率和中高频的定位使其在负载开关、逻辑电平转换和便携式设备电源管理等应用中，都是一个经过市场长期验证的、可靠且高性价比的优选方案。该器件与N沟道型号（如LBSS123LT1G）形成互补，可满足更多电路设计需求。

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