是
ISC
2N6107
功率
硅(Si)
PNP型
80（V）
7（A）
40（W）
10（MHz）
平面型
直插型
企业名：无锡固电半导体股份有限公司
类型：生产制造商
电话： 0510-85346300
手机：15961889150
联系人：张敏
QQ： 
微信：
邮箱：mdc@iscsemi.com
地址：江苏无锡无锡新区新梅路68号
∟ 功率三极管(87)∟ 开关三极管(2)∟ 低噪声三极管(74)∟ 复合(达林顿)三极管(6)∟ 其他三极管(3)
DESCRIPTION
·DC Current Gain-
: hFE= 30-150@IC= -2A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= -70V(Min)
·Complement to Type 2N6292
APPLICATIONS
·Designed for use in general-purpose amplifier and
switching applications
SYMBOL | PARAMETER | VALUE | UNIT |
VCBO | Collector-Base Voltage | -80 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage | -70 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage | -5 | V |
IC | Collector Current-Continuous | -7 | A |
ICM | Collector Current-Peak | -10 | A |
IB | Base Current | -3 | A |
PC | Collector Power Dissipation @ TC=25℃ | 40 | W |
TJ | JunctionTemperature | 150 | ℃ |
Tstg | StorageTemperature Range | -65~150 | ℃ |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃unless otherwise specified
SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS | MIN | MAX | UNIT |
VCEO(SUS) | Collector-Emitter Sustaining Voltage | IC= -100mA ;IB= 0 | -70 | V | |
VCE(sat) | Collector-Emitter Saturation Voltage | IC= -7A; IB= -3A |
| -3.5 | V |
VBE(on) | Base-Emitter On Voltage | IC= -7A ; VCE= -4V |
| -3.0 | V |
ICEX | Collector Cutoff Current | VCE= -80V; VBE(off)= -1.5V VCE= -70V; VBE(off)= -1.5V; TC= 150℃ |
| -0.1 -2.0 | mA |
ICEO | Collector Cutoff Current | VCE= -60V;IB= 0 |
| -1.0 | mA |
IEBO | Emitter Cutoff Current | VEB= -5V; IC= 0 |
| -1.0 | mA |
hFE-1 | DC Current Gain | IC= -2A ; VCE= -4V | 30 | 150 |
|
hFE-2 | DC Current Gain | IC= -7A ; VCE= -4V | 2.3 |
|
|
COB | Output Capacitance | IE= 0 ; VCB= -10V; ftest= 1MHz | 250 | pF | |
fT | Current-Gain—Bandwidth Product | IC= -0.5A ; VCE= -4V; ftest= 1MHz | 10 |
| MHz |
企业名：无锡固电半导体股份有限公司
类型：生产制造商
电话： 0510-85346300
手机：15961889150
联系人：张敏
QQ：
微信：
邮箱：mdc@iscsemi.com
地址：江苏无锡无锡新区新梅路68号
