全新原装ATF-541M4-TR1 射频场效应管

型号/规格：
ATF-541M4-TR1
品牌/商标：
APOWER(富鼎先进)

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集成电路(IC)(5)
∟ 逻辑IC(2)∟ 其他IC(3)
电源IC(347)
∟ LDO(281)∟ DC-AC(19)∟ DC-DC(23)∟ LED驱动IC(5)∟ 稳压IC(10)∟ 充电管理IC(4)∟ 其他电源IC(6)
半导体存储器(23)
∟ ROM（只读存储器）(2)∟ QTP（掩膜ROM）(14)∟ NVROM(非易失随机存储器）(2)∟ PROM（可编程ROM）(4)∟ DRAM（MOS型动态存储器）(1)
二极管(63)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(23)∟ 整流二极管(10)∟ 稳压二极管(6)∟ 开关二极管(4)∟ 硅粒子/硅堆/高压二极管(1)∟ 继流二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(3)∟ 瞬态(变)抑制二极管(6)∟ 触发二极管(1)∟ 肖特基二极管(3)∟ 发光二极管(2)∟ 微波二极管(1)∟ 其他二极管(2)
三极管(82)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(41)∟ 功率三极管(22)∟ 开关三极管(5)∟ 低噪声三极管(3)∟ 超高频/高频三极管(1)∟ 三端稳压管(器)(2)∟ 微波三极管(1)∟ 带阻三极管(2)∟ 三极管芯片(管芯)(2)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(15)
∟ MOSFET(13)∟ 结型场效应管(1)∟ GTR达林顿模块(1)
可控硅IGBT(4)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(4)
单片机(77)
∟ 单片机产品/套件(55)∟ 单片机开发板(1)∟ 单片机MCU(2)∟ 单片机仿真器(19)
电容器(1448)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(186)∟ 贴片可(微)调电容(1)∟ 可(微)调电容(1)∟ 铝电解电容(108)∟ 无极性铝电解电容(25)∟ 钽电解电容(31)∟ 合金电解电容(1)∟ 安规电容(35)∟ 高压电容(5)∟ 超级(法拉/黄金)电容(12)∟ 瓷片(瓷介)电容(122)∟ 瓷管电容(14)∟ 陶瓷电容(559)∟ 独石(层积)电容(11)∟ 固态电容(7)∟ 有机薄膜介质电容(297)∟ 涤纶电容(4)∟ 聚丙烯(CBB)电容(22)∟ 无感电容(1)∟ 校正电容器(2)∟ 其他电容(3)
电阻器(172)
∟ 贴片/片式电阻(40)∟ 碳膜电阻(37)∟ 金属(氧化)膜电阻(12)∟ 氧化膜电阻(1)∟ 复合膜电阻(5)∟ 玻璃釉膜电阻(2)∟ 水泥电阻(1)∟ 线绕电阻(5)∟ 排阻/网络电阻(8)∟ 高功率电阻(1)∟ 热敏电阻(17)∟ 光敏电阻(4)∟ 气敏电阻(1)∟ 压敏电阻(33)∟ 高频无感电阻(1)∟ 铝壳电阻(2)∟ 其他电阻(1)
电感器(341)
∟ 贴片电感(286)∟ 色环/色码电感(1)∟ 磁珠/磁环（环型）电感(17)∟ I型/棒型/一字型电感(5)∟ 射频/高频电感(1)∟ 功率电感(3)∟ 扼流线圈电感(7)∟ 共模电感(10)∟ EMI滤波器(10)∟ 其他电感器(1)
电位器(28)
∟ 合成碳膜电位器(4)∟ 陶瓷电位器(2)∟ 线绕电位器(1)∟ 单圈、多圈电位器(5)∟ 直滑式电位器(3)∟ 其他电位器(13)
微调电位器(166)
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石英晶体器件(37)
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压电陶瓷元件(6)
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连接器/接插件(23)
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开关(8)
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商品信息

含义编辑

MOS——Mean Opinion Score 平均意见值

MOS值常以衡量通信系统语音质量的重要指标。

2测量方法编辑

常用的MOS分评价方法包括主观MOS分评价和客观MOS分评价。

主观MOS分采用ITU-T P.800和P.830建议书，由不同的人分别对原始语料和经过系统处理后有衰退的语料进行主观感觉对比，得出MOS分，求平均值。

而客观MOS评价则采用ITU-T P.862建议书提供的PESQ(Perceptual Evaluation of Speech Quality)方法，由专门的仪器（如Agilent的VQT测试仪）或软件进行测试。

3数值范围及含义编辑

在MOS方法中,0分代表差的质量，5分为分。标准PCM的质量约为4.4分。

常见编码格式对应MOS值如下：

G.711——MOS= 4.8

G.721、G.723、G.726——MOS= 4.2

G.728 ——MOS=4.2

G.729 ——MOS=4.2

G.723.1（5.3）——MOS=3.5

G.723.1（6.3）——MOS=3.98

目前，对于DT方面的MOS测试方法主要通过一个语音盒单元将主、被叫手机的语音链路相连。对于主叫手机的下行MOS值是通过被叫手机端发一个标准的声音波形，经过网络达到主叫手机，测试软件对收到的波形与发出的波形进行比较、计算后得出下行MOS，上行MOS为相反过程。对于主叫手机的下行MOS值也为被叫手机的上行，因此主、被叫手机的MOS值是一样的。

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