制造商: Vishay 
产品种类: MOSFET 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
商标: Vishay Semiconductors 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: SO-8 
通道数量: 2 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 100 V 
Id-连续漏极电流: 36.7 A 
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V to 3.5 V 
Qg-栅极电荷: 17.5 nC 
工作温度: + 150 C 
技术: Si 
封装: Reel 
配置: Dual 
下降时间: 7 ns 
正向跨导 - 值: 40 S 
工作温度: - 55 C 
Pd-功率耗散: 46 W 
上升时间: 12 ns 
商标名: ThunderFET TrenchFET 
晶体管类型: 2 N-Channel 
典型关闭延迟时间: 18 ns 
典型接通延迟时间: 12 ns 
单位重量: 506.600 mg

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