制造商:  Toshiba   
产品种类:  MOSFET   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  Through Hole   
封装 / 箱体:  TO-220-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  600 V   
Id-连续漏极电流:  6 A   
Rds On-漏源导通电阻:  1.25 Ohms   
Vgs - 栅极-源极电压:  30 V   
工作温度:  + 150 C   
通道模式:  Enhancement   
商标:  Toshiba  
配置:  Single  
下降时间:  40 ns  
高度:  8.1 mm  
长度:  10 mm  
工作温度:  - 55 C  
Pd-功率耗散:  40 W  
上升时间:  25 ns  
系列:  2SK2545  
工厂包装数量:  50  
晶体管类型:  1 N-Channel  
宽度:  4.5 mm  
单位重量:  6 g 

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