制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 
系列 - 
包装 ? 带卷（TR） ? 
零件状态  
FET 类型 N 沟道 
技术 MOSFET（金属氧化物） 
漏源电压（Vdss） 100V 
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta），58A（Tc） 
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V 
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.1V @ 250µA 
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 27nC @ 10V 
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1670pF @ 50V 
Vgs（值） ±20V 
FET 功能 - 
功率耗散（值） 2.1W（Ta），100W（Tc） 
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 14.5 毫欧 @ 20A，10V 
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） 
安装类型 表面贴装 
供应商器件封装 TO-263（D²Pak） 
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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