制造商: Qorvo

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管类型: HEMT

技术: GaN SiC

增益: 17.5 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 50 V

Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V

Id-连续漏极电流: 4 A

输出功率: 162 W

工作温度: - 40 C

工作温度: + 85 C

Pd-功率耗散: 127 W

安装风格: Screw

封装 / 箱体: NI-360

封装: Tray

配置: Single  

工作频率: 3.2 GHz  

工作温度范围: - 40 C to + 85 C  

系列: QPD  

商标: Qorvo  

开发套件: QPD1008LPCB401  

湿度敏感性: Yes  

产品类型: RF JFET Transistors  

工厂包装数量: 25  

子类别: Transistors  

Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.8 V

企业名：深圳市金嘉锐电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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