IKW75N60T主要参数

型号：IKW75N60T

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:1.5 V

栅极/发射极电压:+/- 20 V

在25 C的连续集电极电流:80 APd-

功率耗散:428 W

工作温度:- 40 C

工作温度:+ 175 C

系列:TRENCHSTOP IGBT

封装:Tube

高度:21.1 mm 

长度:16.03 mm 

宽度:5.16 mm 

商标:Infineon Technologies 

集电极连续电流:80 A

 栅极—射极漏泄电流:100 nA 

产品类型:IGBT Transistors

 工厂包装数量:240 

子类别:IGBTs

 商标名:TRENCHSTOP 

零件号别名:IKW75N60TFKSA1 IKW75N6TXK SP000054889

 单位重量:38 g

企业名：深圳市佳芯恒业科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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