STY112N65M5的主要参数

型号:STY112N65M5

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:Max247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-ChannelVds-

漏源极击穿电压:650 VId-

连续漏极电流:96 ARds On-

漏源导通电阻:19 mOhmsVgs th-

栅源极阈值电压:4 VVgs - 

栅极-源极电压:25 VQg-

栅极电荷:350 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 CPd-

功率耗散:625 W

配置:Single

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STY112N65M5 

晶体管类型:1 N-Channel

 商标:STMicroelectronics 

产品类型:MOSFET 

工厂包装数量:30 

子类别:MOSFETs 

单位重量:38 g

Mouser编号：511-STY112N65M5

制造商编号：STY112N65M5

制造商：STMicroelectronics

说明：MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5

公司简介：

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