IRF9530NPBF的主要参数

型号：IRF9530NPBF

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:14 ARds 

On-漏源导通电阻:200 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:38.7 nC

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:79 W

配置:Single

封装:Tube

高度:15.65 mm 

长度:10 mm

 晶体管类型:1 P-Channel 

宽度:4.4 mm 

商标:Infineon / IR 

正向跨导 - 值:3.2 S 

下降时间:46 ns 

产品类型:MOSFET

 上升时间:58 ns 

工厂包装数量:1000

 子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:45 ns

 典型接通延迟时间:15 ns

 零件号别名:SP001570634 

单位重量:6 g

Mouser编号：942-IRF9530NPBF

制造商编号：IRF9530NPBF

制造商：Infineon / IR

说明：MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC

公司简介：

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