IRFR3607PBF的主要参数

型号：IRFR3607PBF

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:7.34 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:56 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:140 W

配置:Single

封装:Tube

高度:2.3 mm

 长度:6.5 mm 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:6.22 mm 

商标:Infineon Technologies 

正向跨导 - 最小值:115 S

 下降时间:96 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:110 ns 

工厂包装数量:3000 

子类别:MOSFETs

 典型关闭延迟时间:43 ns 

典型接通延迟时间:16 ns 

零件号别名:SP001571628

单位重量:4 g

Mouser编号：942-IRFR3607PBF

制造商编号：IRFR3607PBF

制造商：Infineon Technologies

说明：MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC

公司简介：

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