BC856B的主要参数

型号：BC856B

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

 安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极电压 VCEO:65 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

直流电集电极电流:0.1 A

增益带宽产品fT:200 MHz

工作温度:- 65 C

工作温度:+ 150 C

高度:1 mm 

长度:2.9 mm 

封装:Reel 

宽度:1.3 mm 

商标:ON Semiconductor / Fairchild 

直流集电极/Base Gain hfe Min:220

 Pd-功率耗散:300 mW 

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 

子类别:Transistors 

单位重量:8 mg

Mouser编号：512-BC856B

制造商编号：BC856B

制造商：ON Semiconductor / Fairchild

说明：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-23 PNP GP AMP

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