BFR183E6327的主要参数

型号：BFR183E6327

制造商:Infineon

产品种类:射频(RF)双极晶体管

 系列:BFR183

晶体管类型:Bipolar

技术:Si

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V

发射极 - 基极电压 VEBO:2 V

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极—基极电压 VCBO:20 V 

直流电流增益 hFE 最大值:70 at 15 mA at 8 V

 高度:1 mm 

长度:2.9 mm 

工作频率:8000 MHz 

类型:RF Bipolar Small Signal

 宽度:1.3 mm 

商标:Infineon Technologies 

最大直流电集电极电流:0.065 A 

Pd-功率耗散:450 mW

 产品类型:RF Bipolar Transistors 

工厂包装数量:3000

 子类别:Transistors 

零件号别名:BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327XT SP000011054

 单位重量:8 mg

Mouser编号：726-BFR183E6327

制造商编号：BFR 183 E6327

制造商：Infineon Technologies

说明：射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW

公司简介：

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