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ADI ADRF5545ABCPZN-R7射频前端

型号/规格：
ADRF5545ABCPZN-R7
品牌/商标：
Analog Devices
封装：
Reel
批号：
ADRF5545ABCPZN-R7
工作频率:：
2.4 GHz to 4.2 GHz
NF—噪声系数:：
1.45 dB
工作电源电压:：
4.75 V to 5.25 V
工作电源电流:：
86 mA

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企业名：深圳市兴中芯科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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产品分类

集成电路(IC)(951)
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二极管(18)
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新品上架

商品信息 更新时间：2022-05-13

Analog Devices Inc. ADRF5545A射频前端多芯片模块

Analog Devices ADRF5545A双通道射频前端多芯片模块设计用于工作频率范围为2.4GHz至4.2GHz的时分双工 (TDD) 应用。ADRF5545A采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和大功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.45dB的低噪声系数 (NF) 和32dB的高增益（频率为3.6GHz）以及32dBm（典型值）的输出3阶交调截点 (OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的yi级处于旁路状态，在36mA的较低电流下提供16dB的增益。在关断模式下，LNA将关闭，器件耗流为12mA。

在发射过程中，当射频输入连接到端电极引脚（TERM-ChA或TERM-ChB）时，该开关提供0.65dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理40dBm的长期演进 (LTE) 平均功率（9dB峰值/平均值比 (PAR)），而在单一事件（<10秒）LNA保护模式下为43dBm。

特性

集成式双通道射频前端
- 2级LNA和大功率SPDT开关
- 片上偏置和匹配
- 单电源供电
增益
- 高增益模式：3.6GHz时为32dB（典型值）
- 低增益模式：3.6GHz时为16dB（典型值）
低噪声系数
- 高增益模式：3.6GHz时为1.45dB（典型值）
- 低增益模式：3.6GHz时为1.45dB（典型值）
高隔离度
- RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：47dB（典型值）
- TERM-CHA和TERM-CHB：52dB（典型值）
低插入损耗：0.65dB（3.6GHz时的典型值）

TCASE = 105°C时具有高功率处理能力
- 整个生命周期
  - LTE平均功率 (9dB PAR)：40dBm
- 单一事件（<10秒运行）
  - LTE平均功率 (9dB PAR)：43dBm
高OIP3：32dBm（典型值）
关断模式和低增益模式（针对LNA）
低电源电流
- 高增益模式：5V时为86mA（典型值）
- 低增益模式：5V时为36mA（典型值）
- 关断模式：5V时为12mA（典型值）
正逻辑控制
6mm × 6mm、40引脚LFCSP封装