TI DRV8353SRTAT 点火控制器和驱动器

型号/规格：
DRV8353SRTAT
品牌/商标：
Texas Instruments
封装：
WQFN-40
批号：
DRV8353SRTAT
工作电源电压：
6 V to 95 V
输出电流：
25 mA

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商品信息

Texas Instruments DRV835x三相智能驱动器

Texas Instruments DRV835x三相智能驱动器是高度集成的栅极驱动器，用于三相无刷直流 (BLDC) 电机应用。这些应用包括BLDC电机的磁场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流控制。该器件型号具有可选的集成分流放大器，支持不同电机控制方案，而且还具有降压稳压器，为栅极驱动器或外部控制器供电。

DRV835x采用智能栅极驱动 (SGD) 架构减少MOSFET换速率控制和保护电路通常所需的外部组件的数量。SGD架构还可优化死区时间以避免击穿问题，通过MOSFET转换率控制灵活降低电磁干扰 (EMI)，以及通过VGS监视器防止出现栅极短路情况。强栅极下拉电路帮助避免出现不想要的dV/dt寄生栅极打开事件。

特性

9V至100V，三个半桥栅极驱动器
- 可选集成降压稳压器
- 可选的三个低侧分流放大器
智能栅极驱动架构
- 可调压摆率控制，实现出色的EMI性能
- 通过VGS握手和zui小死区插入方法避免击穿
- 50mA至1A峰值拉电流
- 100mA至2A峰值灌电流
- 通过强下拉实现dV/dt抑制
集成栅极驱动器电源
- 高侧倍频电荷泵，用于100% PWM占空比控制
- 低侧线性稳压器
集成LM5008A降压稳压器
- 工作电压范围：6V至95V
- 输出能力：2.5V至75V，350mA

集成三个分流放大器
- 可调增益（5、10、20、40V/V）
- 双向或单向支持
6x、3x、1x和独立PWM模式
- 支持120°传感器式运行模式
提供SPI或硬件接口
低功耗休眠模式（VVM=48V时为20?A）
集成式保护特性
- VM欠压闭锁 (UVLO)
- 栅极驱动欠压 (GDUV)
- MOSFET VDS过流保护 (OCP)
- MOSFET击穿保护
- 栅极驱动器故障 (GDF)
- 过热报警和关断 (OTW/OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)