0402去耦电容参数

  　一、封 装 DC=50V DC=100V

　　pF---0.056μF 330pF---0.012μF
　　pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
　　pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
　　2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
　　Z5U电容器的其他技术指标如下:
　　工作温度范围10℃ --- 85℃
　　温度特性 22% ---- -56%

　　介质损耗 4%

　　去耦电容的原理如下：
　　电容器特性： 去耦电容器具有储存电荷的能力。当电源电压出现瞬态变化时，去耦电容器可以迅速吸收或释放电荷，使电压变化尽可能平滑，保持在一个稳定的水平。
　　高频响应： 去耦电容器对高频信号具有良好的响应特性。在电路中，各种元件的切换、数字信号的处理等都可能产生高频噪声。去耦电容器可以快速响应并吸收这些高频噪声，防止其传播到其他部分的电路中，从而保持整个电路的稳定性和可靠性。
　　电源去耦： 在电路板上，通常会有多个集成电路（IC）和其他电子元件，它们可能会在不同时间和频率上对电源产生干扰。去耦电容器被放置在电源供电点附近，通过连接到地（GND）形成一个并联电容网络，从而有效地消除电源中的这些干扰。
　　电容选择： 去耦电容器的选择通常取决于电路的工作频率范围和所需的容值。一般来说，对于高频噪声的去除，需要选择具有较低ESR（等效串联电阻）和ESL（等效串联电感）的电容器，以确保其在高频下有良好的响应。

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