ISL73096RHVF、抗辐射集成电路和分立半导体、生厂商internil

 

关键特征

 

• SMD的电气筛选

• 符合MIL-PRF—35535要求的QML

• 辐射耐受性

• 高剂量率（50-300 rad（Si）/s）：100krad（Si）

• 低剂量率（0.01rad（Si）/s）：50krad（Si）*

• SEL免疫：键合晶片介电隔离

• NPN增益带宽积（F_T:8GHz（TYP））

• NPN电流增益（H_FE）：130（TYP）

• NPN早期电压（V_A）：50V（TYP）

• PNP增益带宽乘积（F_T）：5.5GHz（TYP）

• PNP电流增益（H_FE）：60（TYP）

• PNP早期电压（V_A）：20V（TYP）

• 1GHz的噪声系数（50Ω）：3.5dB（TYP）

• 集电极-集电极泄漏：<1pA（TYP）

• 晶体管之间的完全隔离*通过特征建立的限制

 

描述

 

ISL73096、ISL73127和ISL73128是辐射硬化双极晶体管阵列。ISL73096由三个NPN晶体管和两个PNP晶体管组成。ISL73127由五个NPN晶体管组成。ISL73128由五个PNP晶体管组成。

ISL73096EH、ISL73127EH和ISL73128EH器件涵盖了ISL73096RH、ISL73127RH和ISL73128RH器件的所有生产测试，并在Intersil增强的低剂量率敏感性（长者）产品制造流程中进行了测试。

一个键合晶片，电介质隔离制造工艺提供了对单事件闩锁和在辐射环境中的高度可靠性能的能力的豁免权。

这些晶体管的高增益带宽积和低噪声系数使它们成为高频放大器和混频器应用的理想选择。NPN和PNP晶体管的单片结构提供了接近的电和热匹配。对晶体管的每个端子提供存取以获得的应用灵活性。

 

应用

 

• 高频放大器和混频器

• 高频变换器

• 同步检波器

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