特征

•在霍尼韦尔辐射硬化的基础上制造

–0.65μmLeff RICMOSTM IV SOI工艺，HX2000

–0.55微米

•阵列大小从40K到390K可用门（原始）

•HX2000支持5V核心操作

•HX2000r支持3.3V堆芯运行

•HX2000r支持混合电压I/O缓冲器

•TTL（5V）或CMOS（5V/3.3V）兼容I/O

•可配置多端口门阵列SRAM

•单端口或双端口定制SRAM接入功能

•支持芯片级断电以实现冷备盘

•支持超过100 MHz的系统速度

一般说明

HX2000和HX2000r栅阵列是以性能为导向的晶体管阵列，采用霍尼韦尔公司的RICMOSTM IV绝缘体硅（SOI）工艺制造。HX2000阵列仅用于5V设计。HX2000r阵列支持5V和3.3V操作。高密度是通过标准的3层金属或可选的4层金属工艺实现的，提供多达29万个可用的门。RICMOS（辐射不敏感CMOS）SOI工艺具有高密度和高性能的特点，即使在电离辐射超过1×106 rad（SiO2）后，也能在整个军用温度范围内实现100 MHz以上的器件工作。在Adams 90%坏情况下，触发器的软错误率（SER）设计为小于1x10-11个错误/位/天。

每一个HX2000/HX2000r设计都建立在我们久经考验的RICMOS ASIC库上，包括SSI和MSI逻辑元件、可配置的RAM单元和可选的I/O板。栅极阵列具有一个全局时钟网络，能够处理多个区域之间具有低时钟偏差的时钟信号。该系列完全符合霍尼韦尔公司的高可靠性筛选程序，并符合质量管理体系Q和V级要求。

HX2000 HX2000r系列

•总剂量硬度≥1x106 rad（二氧化硅）•剂量率不稳定硬度：

大于等于1x101rad（Si）/秒，HX2000*大于1x109rad（Si）/秒，HX2000r*

选项可用于：

大于或等于1x1011 rad（Si）/秒，HX2000*大于或等于1x1010 rad（Si）/秒，HX2000r*

•剂量率生存能力≥1x1012 rad（Si）/sec*

•软错误率

≤1x10-11个错误/位/天，HX2000≤1x10-10个错误/位/天，HX2000r

•中子注量硬度达到1x1014/cm~2•无闭锁

*预计

设计人员可以从各种I/O类型中进行选择。输出缓冲区选项包括8个驱动强度、CMOS/TTL电平、IEEE1149.1边界扫描、上拉/下拉电阻和三态能力。输入缓冲器可选择用于CMOS/TTL/Schmitt触发电平、IEEE1149.1边界扫描和上拉/下拉电阻。双向缓冲器也可用。

HX2000r的一个重要特性是双电压I/O能力，在这种能力下，设计人员在I/O缓冲区的布置方面具有完全的灵活性。此功能允许具有不同电源电压的相邻I/O缓冲区。

HX2000/HX2000r系列为可配置的多端口sram提供了选项。可以以单位增量选择字宽。有多种SRAM读写端口选项可供大多数应用程序使用。还可以实现自定义的宏单元插入，以进一步提高芯片密度。可按两位增量选择字宽。单端口和双端口选项是可用的。

HX2000/HX2000r系列具有允许芯片级断电模式的特殊功能，在这种模式下，连接到芯片的相关总线可以保持活动状态。

莱夫

RICMOSTM IV SOI工艺，HX2000r

HX1750XQN    Honeywell 霍尼韦尔    

HX1750YQN    Honeywell 霍尼韦尔    

HX1750ZQN    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2010    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2040    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2040R    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2080    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2080R    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2160    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2160R    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2160r2.5V    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2300    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2300R    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2400    Honeywell 霍尼韦尔    

HX2400R    Honeywell 霍尼韦尔    

HX303G    Honeywell 霍尼韦尔    

HX303P    Honeywell 霍尼韦尔    

HX306G    Honeywell 霍尼韦尔    

HX306P    Honeywell 霍尼韦尔    

HX311G    Honeywell 霍尼韦尔    

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