SOIC-8
30 V
6.8 A, 11.4 A
7.8 nC, 11.6 nC
企业名：深圳市毅创辉电子科技有限公司
类型：
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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Vishay |
|
产品种类: | MOSFET |
|
RoHS: | 详细信息 |
|
技术: | Si |
|
安装风格: | SMD/SMT |
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封装 / 箱体: | SOIC-8 |
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晶体管极性: | N-Channel |
|
通道数量: | 2 Channel |
|
Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
|
Id-连续漏极电流: | 6.8 A, 11.4 A |
|
Rds On-漏源导通电阻: | 11.5 mOhms, 18.5 mOhms |
|
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
|
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
|
Qg-栅极电荷: | 7.8 nC, 11.6 nC |
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Pd-功率耗散: | 1.4 W, 2.4 W |
|
通道模式: | Enhancement |
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商标名: | TrenchFET |
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封装: | Reel |
|
封装: | Cut Tape |
|
封装: | MouseReel |
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商标: | Vishay Semiconductors |
|
配置: | Dual |
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下降时间: | 9 ns, 11 ns |
|
高度: | 1.75 mm |
|
长度: | 4.9 mm |
|
产品类型: | MOSFET |
|
上升时间: | 9 ns, 9 ns |
|
系列: | SI4 |
|
工厂包装数量: | 2500 |
|
子类别: | MOSFETs |
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晶体管类型: | 2 N-Channel |
|
典型关闭延迟时间: | 24 ns, 31 ns |
|
典型接通延迟时间: | 11 ns, 13 ns |
|
宽度: | 3.9 mm |
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零件号别名: | SI4816BDY-E3 |
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单位重量: | 187 mg |
|
毅创辉电子成立2008年，拥有14年供货经验，主营ALTERA XILINX
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