- 20 V, + 20 V
1.8 V
- 55 C
+ 175 C
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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Infineon |
|
产品种类: | MOSFET |
|
REACH - SVHC: | 详细信息 |
|
技术: | Si |
|
安装风格: | Through Hole |
|
封装 / 箱体: | TO-251-3 |
|
晶体管极性: | N-Channel |
|
通道数量: | 1 Channel |
|
Vds-漏源极击穿电压: | 150 V |
|
Id-连续漏极电流: | 33 A |
|
Rds On-漏源导通电阻: | 34 mOhms |
|
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, %2B 20 V |
|
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V |
|
Qg-栅极电荷: | 26 nC |
|
zui小工作温度: | - 55 C |
|
zui大工作温度: | %2B 175 C |
|
Pd-功率耗散: | 144 W |
|
通道模式: | Enhancement |
|
封装: | Tube |
|
商标: | Infineon Technologies |
|
配置: | Single |
|
高度: | 6.22 mm |
|
长度: | 6.73 mm |
|
产品类型: | MOSFETs |
|
工厂包装数量: | 3000 |
|
子类别: | Transistors |
|
宽度: | 2.38 mm |
|
单位重量: | 340 mg |
|
公司成立2008年，拥有16年供货经验
我们只从原厂或者代理商正规渠道进货，保证原厂原装。
本公司有海量现货，共有40万多种元器件。现货当天发货！
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