TO-220-3
33 V
80 A
- 18 V, + 18 V
企业名：深圳市毅创辉电子科技有限公司
类型：
电话：
0755-83266687
0755-83265028
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地址：广东深圳深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | STMicroelectronics |
|
产品种类: | MOSFET |
|
技术: | Si |
|
安装风格: | Through Hole |
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封装 / 箱体: | TO-220-3 |
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晶体管极性: | N-Channel |
|
通道数量: | 1 Channel |
|
Vds-漏源极击穿电压: | 33 V |
|
Id-连续漏极电流: | 80 A |
|
Rds On-漏源导通电阻: | 9 mOhms |
|
Vgs - 栅极-源极电压: | - 18 V, %2B 18 V |
|
zui小工作温度: | - 55 C |
|
zui大工作温度: | %2B 175 C |
|
Pd-功率耗散: | 300 W |
|
通道模式: | Enhancement |
|
封装: | Tube |
|
商标: | STMicroelectronics |
|
配置: | Single |
|
下降时间: | 100 ns |
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高度: | 9.15 mm |
|
长度: | 10.4 mm |
|
产品类型: | MOSFETs |
|
上升时间: | 10 ns |
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系列: | MDmesh K5 |
|
子类别: | Transistors |
|
晶体管类型: | 1 N-Channel |
|
典型关闭延迟时间: | 220 ns |
|
典型接通延迟时间: | 40 ns |
|
宽度: | 4.6 mm |
|
单位重量: | 2 g |
|
公司成立2008年，拥有16年供货经验
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