6 A
125 V
- 65 C
+ 200 C
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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | STMicroelectronics |
|
产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
|
RoHS: | 详细信息 |
|
晶体管极性: | N-Channel |
|
技术: | Si |
|
Id-连续漏极电流: | 6 A |
|
Vds-漏源极击穿电压: | 125 V |
|
zui小工作温度: | - 65 C |
|
zui大工作温度: | %2B 200 C |
|
封装 / 箱体: | M-113 |
|
封装: | Bulk |
|
商标: | STMicroelectronics |
|
通道模式: | Enhancement |
|
配置: | Single Dual Source |
|
Pd-功率耗散: | 175 W |
|
产品类型: | RF MOSFET Transistors |
|
系列: | SD2918 |
|
工厂包装数量: | 50 |
|
子类别: | MOSFETs |
|
类型: | RF Power MOSFET |
|
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
|
单位重量: | 4.100 g |
|
公司成立2008年,拥有16年供货经验
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