标称频率：晶体技术条件中规定的频率，通常标识在产品外壳上。

工作频率：晶体与工作电路共同产生的频率。

调整频差：在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。

负载谐振频率（FL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。

动态电阻：串联谐振频率下的等效电阻。用R1表示。

负载谐振电阻（ESR）：在负载谐振频率时呈现的等效电阻。用Re表示。　Re＝R1*（1+C0/CL）^2

激励功率：晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有：2mW、1mW、0.5mW

、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

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