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CSD13381F4 NexFET 无铅 表面贴装 3-XFDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

CSD13381F4  NexFET™ 无铅 表面贴装 3-XFDFN  -55°C ~ 150°C(TJ)
CSD13381F4  NexFET™ 无铅 表面贴装 3-XFDFN  -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 型号/规格:

    FET,MOSFET - 单

  • 品牌/商标:

    Texas Instruments

  • 规范的达标情况:

    \t无铅

  • 系列:

    \tNexFET™

  • 工作温度:

    \t-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 功率耗散(值:

    )\t500mW(Ta)

金牌会员 第 12
  • 企业名:艾润(香港)电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-25320966
    0755-25320933
    0755-25320966
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    手机:13332987005
    17796346328
    13048814020
    13332987005

    联系人:杨晓晓/谢小姐/陈先生/陈小姐

    QQ: QQ:3005691189QQ:3005609716

    微信:

    邮箱:3005609716@QQ.COM

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北国利大厦2539室

产品分类
商品信息

CSD13381F4


制造商Texas Instruments

制造商零件编号CSD13381F4

描述MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)

原厂标准交货期16 周

详细描述表面贴装-N-沟道-12V-2.1A(Ta)-500mW(Ta)-3-PICOSTAR

CSD13381F4

数据列表CSD13381F4;

标准包装  3,000

包装  标准卷带  

零件状态在售

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列NexFET™


CSD13381F4

FET 类型N 沟道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.1A(Ta)

驱动电压( Rds On, Rds On)1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)180 毫欧 @ 500mA,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)1.4nC @ 4.5V

Vgs(值)8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)200pF @ 6V

FET 功能-

功率耗散(值)500mW(Ta)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装

供应商器件封装3-PICOSTAR

封装/外壳3-XFDFN




联系方式

企业名:艾润(香港)电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-25320966
0755-25320933
0755-25320966
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手机:13332987005
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联系人:杨晓晓/谢小姐/陈先生/陈小姐

QQ: QQ:3005691189QQ:3005609716QQ:3005667927QQ:3005629960

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地址:广东深圳深圳市福田区华强北国利大厦2539室

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