FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.6A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 345 毫欧 @ 1.25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 4.1nC @ 4.5V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 210pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1W（Ta），1.7W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.6A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 345 毫欧 @ 1.25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 4.1nC @ 4.5V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 210pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1W（Ta），1.7W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SI2309CDS-T1-GE3SI2309CDS-T1-GE3SI2309CDS-T1-GE3SI2309CDS-T1-GE3

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