制造商	Infineon
产品	IGBT Silicon Modules
配置	Dual
集电极—发射极电压 VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	2.1 V
在25 C的连续集电极电流	450 A
栅极—射极漏泄电流	400 nA
功率耗散	1600 W
工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	62 mm
栅极/发射极电压	+/- 20 V
工作温度	- 40 C
安装风格	Screw

 

 

产品型号：MPMB50B120RH  品牌：美格纳  参数：电流50A 电压1200V  封装：底板宽度34mm　工作频率：40KHZ

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