标准包装：10

RoHS规范：IGBT Silicon Modules

产品描述：IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A

产品：IGBT Silicon Modules

配置：Hex

集电极—发射极电压 VCEO：1200 V

在25 C的连续集电极电流：200 A

工作温度：+ 125 C

封装 / 箱体：Econo 3

栅极/发射极电压：+/- 20 V

工作温度：- 40 C

安装风格：Screw

 

 

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