FSB50550AT: 智能功率模块 (IPM)，运动控制

型号/规格：
FSB50550AT
品牌/商标：
ON
封装：
DIP-023
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产品分类

集成电路(IC)(1298)
∟ 逻辑IC(14)∟ 射频IC(2)∟ 时钟IC(6)∟ 其他IC(1275)∟ 处理器MPU(1)
电源IC(159)
∟ DC-DC(3)∟ LED驱动IC(9)∟ 稳压IC(63)∟ 充电管理IC(9)∟ 其他电源IC(75)
半导体存储器(6)
∟ EEPROM（电可擦除可编程ROM）(2)∟ Flash Memory（闪存/快闪存储器）(4)
二极管(108)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(38)∟ 整流二极管(13)∟ 整流二极管模块(2)∟ 稳压二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(5)∟ 肖特基二极管(2)∟ 激光(光电)二极管(1)∟ 齐纳/雪崩二极管(3)∟ TVP管(2)∟ 二极管芯片(管芯)(1)∟ 其他二极管(38)
三极管(1)
∟ 三极管芯片(管芯)(1)
场效应管MOSFET(286)
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可控硅IGBT(3)
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单片机(9)
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传感器(20)
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商品信息

产品简介：

FSB50550AT 是用于运动控制的先进电源模块，基于快速恢复 MOSFET (FRFET®) 技术，可用作风机和泵等小功率电机驱动应用的紧凑型逆变器方案。FSB50550AT 包含六个 FRFET MOSFET、三个具有温度感应功能的半桥门极驱动器 HVIC，以及三个采用紧凑型封装、完全隔离并针对热性能进行优化的自举二极管。FSB50550AT 优化了开关速度，降低了寄生电感，因此具有低电磁干扰 (EMI) 特性。由于 FSB50550AT 采用 MOSFET 作为电源开关，所以与基于 IGBT 的电源模块相比，具有更强的坚固性和更大的安全运行区域 (SOA)。FSB50550AT 方案适用于组装空间有限的紧凑可靠的逆变器设计。

特性

500V RDS(on)=1.4Ω FRFET® MOSFET 三相逆变器，包括HVIC
下桥 MOSFET 的三个独立开放式发射极引脚用于三支路电流感测
HVIC可实现栅极驱动和欠压保护
高电平有效接口，可用于 3.3V/5V 逻辑电平
针对低电磁干扰进行优化
1500Vrms/1min 的额定隔离电压。
内置于HVIC的温度感测
封装中的嵌入式自举二极管
PCB隔离的扩展VB引脚